时间：2025/8/6 7:23:59
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IXTV200N10TS 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高功率密度和高效能应用而设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优秀的热性能。IXTV200N10TS 采用 TO-247 封装，适用于各种工业和电力电子应用，如电源转换器、电机驱动、逆变器等。其额定电压为 100V，最大连续漏极电流可达 200A，在高电流负载条件下表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：200A
导通电阻(Rds(on))：最大 2.5mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
功率耗散(Pd)：300W
输入电容(Ciss)：约 7000pF
反向恢复时间(trr)：约 180ns
IXTV200N10TS 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其 Rds(on) 值在典型工作条件下仅为 2.5mΩ，使得该器件非常适合高电流应用场景。
此外，该 MOSFET 具有良好的热管理和高电流承载能力，能够在高功率密度设计中保持稳定运行。TO-247 封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较强的机械强度，适合在严苛环境下使用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，提高了其在不同驱动电路中的兼容性。同时，它的输入电容较大（约 7000pF），在高频开关应用中需要考虑驱动电路的设计以确保快速开关。
IXTV200N10TS 还具备较快的反向恢复时间（trr 约为 180ns），适合用于同步整流、DC-DC 转换器等需要快速开关性能的电路中。此外，该器件的内部结构优化设计有助于减少开关损耗，提高整体能效。
由于其高可靠性和优异的电气性能，IXTV200N10TS 常用于工业电源、UPS（不间断电源）、电机控制、逆变器以及电动汽车相关系统中。
IXTV200N10TS 主要应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中。常见的应用包括：工业电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电系统等。
在电源管理方面，该 MOSFET 可用于构建高效率的降压、升压或反激式转换器，适用于数据中心服务器电源、工业自动化设备和可再生能源系统。
在电机控制领域，IXTV200N10TS 可用于构建高性能的 H 桥驱动电路，适用于电动工具、电动汽车驱动器和工业伺服系统。
此外，该器件还可用于构建高功率的并联开关电路，以满足更高电流需求的应用场景。
IXFN200N10T2, IXTH200N10TS, IRFP4468PBF, SiR890DP
