时间：2025/9/12 9:41:32
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KF3N40D是一款由Kexin（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源转换、开关电路、DC-DC变换器、充电器、电机驱动及各种电子设备中的功率控制部分。该器件具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适合高频开关应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：3A
最大漏-源电压（VDS）：400V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值2.5Ω（最大3.5Ω）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-92（部分型号也可能提供其他封装）
KF3N40D具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于中高功率的开关控制场合。其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET具备较强的过载和瞬态电流承受能力，适用于需要频繁开关操作的应用场景。KF3N40D采用先进的制造工艺，确保了器件在高温环境下的稳定工作，并具有良好的抗静电能力。其TO-92封装形式便于安装和散热，适用于多种常见的电子电路设计。
此外，KF3N40D还具备快速开关特性，能够满足高频开关电源的设计需求，有助于减小外围电路的体积并提高整体性能。由于其良好的性价比和稳定的性能表现，KF3N40D在消费电子、工业控制、电源适配器等领域得到了广泛应用。
KF3N40D主要用于电源管理电路，如开关电源、充电器、LED驱动、逆变器、DC-DC转换器等。此外，它也常用于电机驱动、继电器驱动、自动控制设备、家用电器及各种需要高耐压、中等功率开关控制的电子系统中。
KF3N40、KF3N40F、2N6781、2N6783
