时间：2025/9/15 0:50:55
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PSMN6R5-80PS 是由恩智浦（NXP）半导体生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和优良的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。该MOSFET采用高性能的封装技术，具有良好的散热能力，适用于多种工业和消费类应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：80V
漏极电流（Id）：60A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ（最大值，Vgs=10V时）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装类型：PowerSO-10
PSMN6R5-80PS 具有多个关键特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其导通电阻非常低，仅为6.5mΩ，在Vgs=10V时，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的Trench沟槽技术，实现了优异的Rds(on) × Qg（栅极电荷）性能比，有助于降低开关损耗。
此外，PSMN6R5-80PS 在热管理方面表现出色，具有良好的散热能力和高温稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。其最大漏极电流为60A，在高功率应用中具有足够的电流承载能力。
该MOSFET采用PowerSO-10封装，体积小巧，适用于紧凑型设计，同时具备良好的机械和电气稳定性。此外，其栅极电压耐受范围为±20V，允许在宽电压范围内安全操作，增强了设计的灵活性。
由于其高可靠性和优异的电气性能，PSMN6R5-80PS 被广泛用于各种高性能电源系统中，包括DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等。
PSMN6R5-80PS 主要用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统。常见应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种工业和消费类电子设备中的功率控制电路。此外，该MOSFET还适用于需要高电流能力和低导通损耗的电源适配器、LED驱动器和电源分配系统。
Si7461DP, IRF1324S-7PPBF, FDS6680, IPB065N04LG
