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IXTV120N15T 发布时间 时间:2025/8/5 19:09:03 查看 阅读:28

IXTV120N15T是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管,专为高电流和高电压应用设计。这款晶体管采用了先进的技术,具备低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能,适用于各种高要求的电力电子系统。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏极电流:120A
  最大漏极-源极电压:150V
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ(最大)
  栅极电荷:200nC(典型)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTV120N15T具有多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻可以显著降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,高电流承载能力和高耐压特性使其能够承受恶劣的工作条件。该晶体管还具备快速开关能力,从而减少开关损耗,适用于高频开关电源和电机控制等应用。其热稳定性优异,能够在高温环境下可靠工作,从而提高了系统的可靠性和寿命。
  另一个显著特点是该器件采用了坚固的封装设计,以确保在高功率应用中的机械稳定性和散热性能。这使得IXTV120N15T在电力转换系统中具有出色的性能和耐用性。

应用

IXTV120N15T广泛应用于多个高功率电子系统中,包括但不限于电源供应器、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变器以及工业自动化设备。其高效率和高可靠性使其成为许多需要高功率密度和高稳定性的应用场景的理想选择。

替代型号

IXFH120N15T、IXTH120N15T

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IXTV120N15T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3(SMT)标片
  • 供应商设备封装PLUS220
  • 包装管件