时间：2025/8/5 21:31:23
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IXTU55N075T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关和电源转换系统中。该器件采用 TO-247 封装，适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。该 MOSFET 的设计优化了导通电阻和开关损耗，使其在高频电源转换器中表现优异。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds)：75V
连续漏极电流 (Id)：55A
栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值为 0.025Ω
封装：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
功率耗散 (Ptot)：200W
漏源击穿电压 (BVdss)：75V
IXTU55N075T 的核心特性之一是其非常低的导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，同时便于安装和散热片连接。
该 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机控制应用。其低栅极电荷（Qg）有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统的响应速度和效率。
此外，IXTU55N075T 采用了先进的沟槽栅极技术，确保了在大电流条件下的稳定运行，并具有较强的抗短路能力。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
IXTU55N075T 常用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电系统、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的热性能和高频开关能力，该 MOSFET 特别适合于需要高效能和紧凑设计的现代电源管理系统。
IXFH55N75T, IXTK55N75P, IRFP4468PBF, SiHPX15N75SG
