W631GU8NB12I TR是一款由Winbond公司生产的串行NOR闪存芯片,主要用于嵌入式系统和存储应用。该芯片具有较高的存储密度和可靠性,适合需要稳定存储解决方案的工业、消费电子和通信设备。
类型:串行NOR闪存
容量:256 Mbit(32 MB)
电压范围:2.3V至3.6V
接口:SPI(串行外设接口)
最大时钟频率:120 MHz
读取速度:120 MHz
编程/擦除电压:3V
封装类型:8引脚DFN
工作温度范围:-40°C至+85°C
W631GU8NB12I TR具有多种高性能特性,包括高速SPI接口,支持高达120 MHz的时钟频率,确保快速的数据读取和写入。该芯片提供256 Mbit的存储容量,适用于需要大容量存储的应用场景。
其低电压范围(2.3V至3.6V)使得该芯片能够在多种电源条件下稳定工作,适合电池供电设备。此外,该芯片的封装形式为8引脚DFN,体积小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用。
W631GU8NB12I TR还具备高可靠性和耐用性,支持超过10万次的编程/擦除周期,并提供数据保存时间长达20年。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在恶劣环境中使用,例如工业控制和汽车电子系统。
W631GU8NB12I TR广泛应用于各种嵌入式系统,包括智能卡、工业控制设备、消费电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)、通信模块(如Wi-Fi和蓝牙模块)以及汽车电子系统。其高速读取性能和可靠性使其成为需要快速启动和稳定存储的设备的理想选择。此外,该芯片也可用于固件存储、数据日志记录和安全启动应用。
W25Q256JV, AT25SF512A, SST26VF032B