类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：72A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 9.2mΩ @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约 2.0V 至 4.0V
　　最大功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

IXTT72N10 具备多项优秀的电气和热性能特性，适用于高功率和高频率应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。在 Vgs = 10V 的条件下，Rds(on) 最大仅为 9.2mΩ，使得该器件在大电流条件下也能保持较低的功率损耗。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 72A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力。这种高电流能力使其适用于需要大功率输出的应用，如电机驱动和电源转换器。
　　此外，IXTT72N10 具有良好的热稳定性和高温工作能力，能够在高达 175°C 的结温下正常工作。这使得它在高功率密度和高温环境下仍能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
　　该器件的开关性能也十分优异。其快速的开关响应时间有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率和效率。这对于高频开关电源和 DC-DC 转换器尤为重要。
　　最后，IXTT72N10 采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和散热设计。该封装形式也广泛用于功率电子应用中，具有良好的兼容性和通用性。

IXTT72N10 被广泛应用于各种高功率和高频电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机控制、电源管理系统、电池充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和汽车电子系统等。
　　在 DC-DC 转换器中，IXTT72N10 可作为主开关器件，提供高效率的能量转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低损耗，提高整体转换效率。
　　在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路或 PWM 控制电路中，实现对电机转速和方向的精确控制。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了电机驱动系统的可靠运行。
　　此外，在电源管理系统和电池充电器中，IXTT72N10 可用于高效能的功率开关，确保电池充电过程中的高效能和稳定性。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等应用中。

IRF3710, STP75NF75, FDP77N10A