时间：2025/6/22 14:12:07
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IRLR120TRPBF 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Vishay International Rectifier 生产。这款器件采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关速度，非常适合需要高效能和高频率的电源管理应用。它广泛应用于计算机、通信设备、工业自动化等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：85A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1680pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRLR120TRPBF 的主要特性包括：低导通电阻设计以减少功率损耗；具备快速开关能力，有助于降低开关损耗；采用 TO-263 封装形式，便于散热和安装；支持高达 175°C 的结温，增强了在恶劣环境下的可靠性；具有低输入电容，适合高频应用。该器件还具有出色的热稳定性和较低的反向恢复电荷，进一步优化了其性能。
这些特点使得 IRLR120TRPBF 成为 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载切换电路以及其他高效能功率管理系统的理想选择。
IRLR120TRPBF 常用于以下应用场景：笔记本电脑和其他便携式电子设备中的 DC-DC 转换；太阳能逆变器中的功率转换模块；汽车电子系统中的电机控制和负载切换；工业设备中的开关电源和电池管理系统；家用电器中的节能电路设计。此外，由于其高效率和低功耗特性，也适用于对散热要求严格的紧凑型设计。
IRLR7843, IRLR7846, IRLR8801
