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AOD508 发布时间 时间:2025/7/16 9:39:04 查看 阅读:8

AOD508是一款基于增强型MOSFET技术设计的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于开关和功率转换应用。它采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点。该器件适用于各种需要高效能和高可靠性的电子设备中,如电源适配器、电池充电器、LED驱动器以及DC-DC转换器等。此外,AOD508具备出色的热性能和鲁棒性,能够适应较为苛刻的工作环境。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:6.9A
  导通电阻:7mΩ
  总功耗:1.4W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AOD508的核心优势在于其超低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流条件下可以显著降低传导损耗并提高效率。
  同时,该器件支持快速开关操作,从而减少开关损耗,并且优化了栅极电荷参数以实现更高的动态性能。
  其紧凑的封装形式有助于节省电路板空间,而坚固的设计则确保了长期运行中的稳定性和耐用性。
  另外,AOD508还集成了过温保护和静电放电防护功能,进一步增强了整体的安全性和可靠性。

应用

AOD508广泛应用于消费类电子产品及工业领域,包括但不限于以下场景:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - LED照明驱动电路
  - 电池管理系统(BMS)
  - 消费电子产品的负载开关
  - 各类电机控制与驱动应用

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  FDMQ8203

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AOD508参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C70A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs49nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2010pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1355-6