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IXTT16P60P 发布时间 时间:2025/7/22 1:36:19 查看 阅读:14

IXTT16P60P 是由 Littelfuse(原 International Rectifier)生产的一款高功率、高电压、P沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于高功率开关应用和电源管理领域。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏极电流:16A
  最大漏源电压:600V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220
  功率耗散:100W

特性

IXTT16P60P 是一款性能优异的P沟道MOSFET,具备低导通电阻(Rds(on))的特性,使其在导通状态下能够减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高耐压能力(600V)使其适用于高电压开关应用,例如开关电源(SMPS)、工业电机控制、照明系统和功率因数校正电路。
  此外,IXTT16P60P 采用先进的沟槽式工艺,优化了热性能,使其在高负载条件下仍能保持良好的稳定性。其封装形式为TO-220,便于安装和散热,适用于多种高功率电子设备。
  该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高短路耐受性,能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路设计。

应用

IXTT16P60P 主要应用于高功率电子设备中,例如:开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、工业自动化控制系统、电机驱动器、LED照明电源、电池管理系统(BMS)以及各种高电压直流-直流转换器。此外,它也适用于需要高可靠性和高效能的工业和消费类电子产品。

替代型号

IRF9640, STP16PF60, FQP16P60

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IXTT16P60P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarP™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C720 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs92nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5120pF @ 25V
  • 功率 - 最大460W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件