IXTT16P60P 是由 Littelfuse(原 International Rectifier)生产的一款高功率、高电压、P沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术制造,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于高功率开关应用和电源管理领域。
类型:P沟道MOSFET
最大漏极电流:16A
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):0.45Ω(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
功率耗散:100W
IXTT16P60P 是一款性能优异的P沟道MOSFET,具备低导通电阻(Rds(on))的特性,使其在导通状态下能够减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高耐压能力(600V)使其适用于高电压开关应用,例如开关电源(SMPS)、工业电机控制、照明系统和功率因数校正电路。
此外,IXTT16P60P 采用先进的沟槽式工艺,优化了热性能,使其在高负载条件下仍能保持良好的稳定性。其封装形式为TO-220,便于安装和散热,适用于多种高功率电子设备。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高短路耐受性,能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路设计。
IXTT16P60P 主要应用于高功率电子设备中,例如:开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、工业自动化控制系统、电机驱动器、LED照明电源、电池管理系统(BMS)以及各种高电压直流-直流转换器。此外,它也适用于需要高可靠性和高效能的工业和消费类电子产品。
IRF9640, STP16PF60, FQP16P60