时间：2025/7/22 1:36:19
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IXTT16P60P 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款高功率、高电压、P沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于高功率开关应用和电源管理领域。
类型：P沟道MOSFET
最大漏极电流：16A
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
功率耗散：100W
IXTT16P60P 是一款性能优异的P沟道MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）的特性，使其在导通状态下能够减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于高电压开关应用，例如开关电源（SMPS）、工业电机控制、照明系统和功率因数校正电路。
此外，IXTT16P60P 采用先进的沟槽式工艺，优化了热性能，使其在高负载条件下仍能保持良好的稳定性。其封装形式为TO-220，便于安装和散热，适用于多种高功率电子设备。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高短路耐受性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路设计。
IXTT16P60P 主要应用于高功率电子设备中，例如：开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、工业自动化控制系统、电机驱动器、LED照明电源、电池管理系统（BMS）以及各种高电压直流-直流转换器。此外，它也适用于需要高可靠性和高效能的工业和消费类电子产品。
IRF9640, STP16PF60, FQP16P60
