2R5TPD1000M8 时间：2025/9/21 11:31:33 阅读：6

2R5TPD1000M8是一款由AVX公司生产的钽质电容器，属于T.P.D.系列，专为需要高电容值与低等效串联电阻（ESR）的电源管理应用而设计。该器件采用表面贴装技术（SMT），具有紧凑的外形尺寸，适合在空间受限的印刷电路板上使用。其标称电容值为1000μF，额定电压为2.5V DC，因此被广泛应用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他低电压数字系统。该型号的命名遵循AVX的标准编码规则：'2R5'代表额定电压2.5V，'TPD'表示产品系列，'1000'为电容值1000μF，'M8'通常指代特定的端接类型和外壳尺寸。作为极性元件，正确安装方向至关重要，反向电压可能导致器件损坏甚至热失效。该电容器采用固态二氧化锰电解质，具备良好的稳定性和较长的使用寿命，在适当的降额使用条件下可提供可靠的性能表现。

参数

类别：电容器
　　类型：钽电容器
　　技术：钽-二氧化锰
　　电容：1000μF
　　额定电压：2.5V DC
　　容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/外壳：模塑片式（M Case Size）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值约70mΩ（@ 100kHz, 25°C）
　　纹波电流：最大允许值依据具体应用条件而定，需参考数据手册
　　极性：有极性（正负极标识明确）

特性

2R5TPD1000M8具备出色的体积效率，在较小的物理尺寸下实现了高达1000μF的电容值，这对于现代高密度PCB布局至关重要。其低等效串联电阻（ESR）特性使其非常适合用于电源滤波、去耦和瞬态负载响应场景，能有效减少输出电压波动并提升电源稳定性。该器件在宽温度范围内保持稳定的电容性能，即使在极端环境条件下也能可靠运行。得益于二氧化锰作为电解质材料，它在承受浪涌电流和脉冲操作方面表现优于聚合物铝电解电容以外的某些类型，同时具备较好的阻燃特性（符合IEC 61249-2-21标准）。
　　此外，该型号通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子中的辅助电源系统。其模塑封装结构增强了机械强度，防止引线断裂，并提供一定程度的防潮保护。在焊接工艺方面，兼容回流焊流程，推荐使用J-STD-020规定的无铅焊接曲线。需要注意的是，钽电容器对过压和反向电压极为敏感，设计时必须确保施加电压不超过额定值的50%~80%进行安全降额，并配合限流电路或与低ESR陶瓷电容并联使用以抑制瞬态冲击。
　　该器件还表现出较低的漏电流，在电池供电设备中有助于延长待机时间。频率响应方面，虽然不如多层陶瓷电容（MLCC）平坦，但在音频范围至数百kHz区间内仍能提供有效的滤波能力。长期可靠性方面，AVX的制造工艺确保了产品的一致性和高良率，适合自动化贴片生产线的大规模应用。然而，在替代设计中应警惕“钽热点”问题——即局部过热导致热失控的风险，因此热管理设计不可忽视。

应用

主要用于便携式消费类电子产品中的直流电源轨滤波，例如为处理器核心、GPU、内存模块等提供稳定的供电支持。常见于移动设备的电池管理单元（BMU）、充电电路和DC-DC转换器输出端的储能与滤波环节。在工业控制领域，可用于PLC模块、传感器信号调理电路的电源去耦。由于其耐高温特性，也适用于部分车载信息娱乐系统或驾驶辅助系统的非引擎舱电子控制单元（ECU）。此外，在医疗便携设备、无线通信模块（如Wi-Fi/蓝牙模组）以及FPGA供电网络中，该电容器可作为次级储能元件，补充高频响应较快的陶瓷电容器之不足。对于需要长时间维持数据记忆的SRAM备份电源路径，也可选用此类高容量钽电容进行能量存储。