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IXTT16P20 发布时间 时间:2025/8/5 21:28:49 查看 阅读:13

IXTT16P20是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率电子应用中,如电源、电机控制和DC-DC转换器。该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和耐高温特性,使其在高功率应用中表现出色。IXTT16P20采用TO-247封装,便于散热和高电流承载。

参数

类型:MOSFET(P沟道)
  最大漏源电压(VDS):200V
  最大漏极电流(ID):16A
  导通电阻(RDS(on)):0.25Ω(最大值)
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(PD):160W

特性

IXTT16P20 MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高效率。该器件的高电压耐受能力(200V)使其适用于高电压电源和电机控制应用。此外,该MOSFET具有较高的电流承载能力(16A),使其能够处理大功率负载。TO-247封装提供了良好的热管理,确保在高温环境下稳定运行。该器件还具有快速开关特性,使其适用于高频开关应用,减少开关损耗。此外,IXTT16P20的高可靠性设计使其能够在恶劣环境下运行,例如工业控制、汽车电子和电源管理系统。其宽工作温度范围(-55°C至175°C)也增强了其在不同环境条件下的适应性。

应用

IXTT16P20 MOSFET广泛应用于多个领域,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、LED照明驱动电路、太阳能逆变器以及汽车电子系统。其高电压和高电流能力使其成为高功率电子设备的理想选择。

替代型号

STP16PF20, IRF9640, FDP16P20

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IXTT16P20参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件