时间：2025/6/25 14:25:18
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WSD30L120 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要应用于需要高效率和低导通损耗的开关场景，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
这款 MOSFET 的设计使其适用于汽车、工业控制以及消费类电子领域中的多种应用场合，例如电机驱动、负载切换、DC-DC 转换器等。由于其出色的热性能和电气特性，WSD30L120 在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：78nC（典型值）
输入电容：3360pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
WSD30L120 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通损耗并提升系统效率。
2. 高额定电流支持大功率应用场景，同时保持良好的散热性能。
3. 较高的雪崩击穿能量耐量（EAS），增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 采用符合行业标准的 TO-247 封装，便于集成到现有设计中。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适合恶劣环境下的长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
WSD30L120 广泛用于以下应用领域：
1. 汽车电子中的电机驱动及负载切换。
2. 工业设备中的逆变器、转换器模块。
3. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器。
4. 各种 DC-DC 转换电路。
5. 开关模式电源（SMPS）设计。
6. LED 照明驱动电路。
WSD30L100,
IRFP2907,
FDP30N12,
IXYS20N120,
STP30NF12
