时间：2025/8/5 19:20:28
阅读：18
IXTT110N10L2-TRL 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高功率密度和高效率的电源转换系统而设计。该器件采用了先进的沟槽型技术（Trench Technology），具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（100V）和高电流承载能力的特点，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和电源管理系统等应用。该器件采用表面贴装的 D2PAK 封装形式，便于散热和自动化生产。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A
导通电阻（Rds(on)）：最大 1.7mΩ（在 Vgs=10V 条件下）
功耗（Pd）：320W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：D2PAK（表面贴装）
IXTT110N10L2-TRL 的核心优势在于其采用的沟槽型 MOSFET 技术，使得该器件能够在保持低导通电阻的同时实现高耐压能力。其 Rds(on) 最大为 1.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，在高负载条件下仍能维持稳定运行。D2PAK 封装具备良好的散热性能，适合在高功率应用中使用。该 MOSFET 还具备高 dv/dt 抗扰能力，能有效防止因快速开关引起的误触发。同时，其封装设计符合 RoHS 环保标准，适用于各类工业和汽车电子系统。
IXTT110N10L2-TRL 广泛应用于高功率电源系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、服务器电源、电机控制、电池管理系统以及汽车电子中的功率模块。其低导通电阻和高电流能力使其在需要高效能和高可靠性的设计中尤为适用。此外，该器件也常用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化控制系统等场景。
IXTT110N10L2-TRL 可以替代的型号包括 IRF110N10D、SPW110N10C3、IXFN110N10、以及 STP110N10F7。在选择替代器件时，需确认其封装、Rds(on)、最大电流和热性能是否满足具体应用需求。
