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DK5V45R15VP 发布时间 时间:2025/5/13 17:25:22 查看 阅读:3

DK5V45R15VP是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,在低导通电阻和快速开关速度方面表现出色,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款功率MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,其耐压范围高达45V,并且具备出色的热稳定性和可靠性。在各种电子设备中,它被广泛用于负载切换、功率调节以及保护电路等功能。

参数

最大漏源电压:45V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:38nC(典型值)
  开关时间:开启时间17ns,关闭时间12ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

DK5V45R15VP具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
  3. 高电流承载能力,适用于大功率场景。
  4. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。
  5. 紧凑的封装设计,节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
  7. 提供优异的静电防护功能,增强产品可靠性。

应用

DK5V45R15VP的典型应用场景包括:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器中的同步整流和降压/升压电路。
  3. 电机驱动控制,例如无刷直流电机驱动。
  4. 汽车电子系统,如启动停止系统和电动助力转向。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 通信基础设施中的负载开关和保护电路。
  7. 其他需要高效功率转换的领域。

替代型号

IRFZ44N
  FDP17N10
  STP16NF06L

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