IXTQ96N15P 时间：2025/7/26 1:23:46 阅读：20

IXTQ96N15P是一款由IXYS公司生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用场合。该器件采用了先进的平面技术，具有较高的效率和较低的导通电阻，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏极电流（ID）：96A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：150V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：11.5mΩ（最大值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

IXTQ96N15P具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件的高耐压能力（150V）使其能够适应较高电压的工作环境，适用于多种电源转换和控制应用。此外，IXTQ96N15P的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，有助于在高电流负载下维持稳定的工作温度。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，缩短了开关过程中的能量损耗，提升了整体性能。同时，其坚固的结构设计和宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。IXTQ96N15P内部集成了反向并联二极管，进一步增强了其在高频开关应用中的适应性。这些特性共同确保了该器件在各种高功率应用中的高效、稳定和可靠运行。

应用

IXTQ96N15P广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。其主要应用领域包括工业电源、直流电机控制、电池管理系统、逆变器以及功率因数校正（PFC）电路等。在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效的电压调节和功率分配。在电机驱动应用中，IXTQ96N15P的高电流承载能力和快速开关特性有助于提高电机控制的精度和效率。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电动汽车充电设备等新兴领域的功率管理模块。