RF5102TR7 时间：2025/8/16 4:56:23 阅读：10

RF5102TR7是一款由Renesas Electronics制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频功率转换应用中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压特性以及优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统和电池供电设备等应用领域。该MOSFET采用TSSOP封装，适用于表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：6A
　　导通电阻(RDS(on))：最大32mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：最大42mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散(PD)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSSOP
　　安装类型：表面贴装

特性

RF5102TR7具备低导通电阻的特性，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。其RDS(on)在VGS=10V时最大为32mΩ，在VGS=4.5V时为42mΩ，适合多种驱动条件。
　　该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其在高频开关应用中表现优异。此外，其30V的漏源耐压和6A的最大漏极电流能力，使其适用于多种中功率应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
　　该器件的封装形式为TSSOP，体积小、重量轻，适合高密度PCB设计。TSSOP封装还具有良好的热性能，有助于散热，提高器件在高功率密度应用中的可靠性。
　　RF5102TR7的工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在极端环境下的稳定性和耐用性。这一特性使其适用于工业控制、汽车电子、消费类电子和便携式设备等多种应用场景。
　　由于其高栅极耐压（±20V），该MOSFET在高噪声环境中仍能保持稳定工作，降低了栅极击穿的风险，提高了系统可靠性。

应用

RF5102TR7适用于多种电源管理和功率转换应用，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。在便携式设备中，它能够提高能效并延长电池寿命。在工业控制系统中，该MOSFET可作为高效的功率开关元件。此外，该器件也可用于电机驱动、电源管理模块以及各种高效率电源转换器的设计中。