IXTH11N90 时间：2025/8/5 21:13:40 阅读：9

IXTH11N90是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，专为高电压和高功率应用而设计。该MOSFET采用TO-247封装，具有优异的热性能和可靠性，适用于工业电源、逆变器、电机驱动以及各种高功率电子系统。IXTH11N90是一款N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：11A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：0.8Ω（最大值）
　　功耗（Ptot）：200W
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH11N90 MOSFET具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其900V的漏源电压能力使其适用于高压系统，例如高压电源和电机控制电路。其次，该器件具有低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，提供更高的稳定性和更长的使用寿命。
　　该器件的封装设计（TO-247）具有良好的散热性能，使其能够在高功率条件下保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性。IXTH11N90还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　另一个关键特性是其强大的抗雪崩能力，确保在电压尖峰或瞬态条件下仍能稳定运行。此外，IXTH11N90的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计。