时间：2025/7/30 0:36:55
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UDQ2588A-1 是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高效能、高可靠性的开关应用，具有低导通电阻和高耐压能力。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压：60V
连续漏极电流：110A
导通电阻：5.5mΩ（最大值）
栅极-源极电压：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
UDQ2588A-1 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其高电流承载能力和高击穿电压使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。该器件还具有快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。TO-263封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持器件的稳定性。
此外，UDQ2588A-1 还具有优异的抗雪崩能力，能够在过载或短路条件下提供额外的保护，从而提高系统的可靠性。其封装设计也便于安装散热片，进一步优化热管理性能。
UDQ2588A-1 常用于各种电源管理系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电动车控制器、电源适配器以及工业自动化设备中的功率开关部分。其高效率和高可靠性的特性也使其成为新能源汽车和储能系统中常用的功率器件。
SiR142DP-T1-GE3, FDP142N60FM, FDS6680, IPW60R004C6
