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IXTQ200N10T 发布时间 时间:2025/7/22 11:07:15 查看 阅读:5

IXTQ200N10T是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管,适用于高电流、高频率的功率电子应用。该器件设计用于满足工业、电源管理和电机控制等领域的高性能需求。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):200A
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为4.7mΩ(典型值为3.8mΩ)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-247AC

特性

IXTQ200N10T具备极低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。该MOSFET采用先进的平面技术,提供更高的可靠性和稳定性。其高电流处理能力使其适合用于大功率开关电路和电机驱动器。此外,该器件具有高耐压能力和强大的热性能,可在高温环境下稳定运行。IXTQ200N10T的栅极驱动设计优化,确保快速开关操作,同时降低开关损耗。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力,确保在极端工作条件下的可靠性。其TO-247封装提供优良的散热性能,适合高功率密度设计。
  该器件的另一个关键特性是其广泛的工作温度范围,从-55°C到+175°C,使其适用于恶劣环境下的应用,如工业自动化、电源转换系统和不间断电源(UPS)。此外,该MOSFET的栅源电压容限为±20V,允许更宽的驱动电压范围,从而提高设计灵活性。

应用

IXTQ200N10T广泛应用于各种高功率电子设备中,包括直流电机驱动器、逆变器、电源转换器、不间断电源(UPS)、电焊机、电池充电器以及工业自动化控制系统。该器件的高电流处理能力和低导通电阻也使其成为电动汽车(EV)充电设备和太阳能逆变器的理想选择。此外,该MOSFET适用于需要高可靠性和稳定性的高频开关电源应用。

替代型号

IXFH200N10P, IXPQ200N10T, IRFP4468PBF

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IXTQ200N10T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs152nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
  • 功率 - 最大550W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件