时间：2025/7/22 11:07:15
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IXTQ200N10T是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，适用于高电流、高频率的功率电子应用。该器件设计用于满足工业、电源管理和电机控制等领域的高性能需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：200A
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为4.7mΩ（典型值为3.8mΩ）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247AC
IXTQ200N10T具备极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该MOSFET采用先进的平面技术，提供更高的可靠性和稳定性。其高电流处理能力使其适合用于大功率开关电路和电机驱动器。此外，该器件具有高耐压能力和强大的热性能，可在高温环境下稳定运行。IXTQ200N10T的栅极驱动设计优化，确保快速开关操作，同时降低开关损耗。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，确保在极端工作条件下的可靠性。其TO-247封装提供优良的散热性能，适合高功率密度设计。
该器件的另一个关键特性是其广泛的工作温度范围，从-55°C到+175°C，使其适用于恶劣环境下的应用，如工业自动化、电源转换系统和不间断电源（UPS）。此外，该MOSFET的栅源电压容限为±20V，允许更宽的驱动电压范围，从而提高设计灵活性。
IXTQ200N10T广泛应用于各种高功率电子设备中，包括直流电机驱动器、逆变器、电源转换器、不间断电源（UPS）、电焊机、电池充电器以及工业自动化控制系统。该器件的高电流处理能力和低导通电阻也使其成为电动汽车（EV）充电设备和太阳能逆变器的理想选择。此外，该MOSFET适用于需要高可靠性和稳定性的高频开关电源应用。
IXFH200N10P, IXPQ200N10T, IRFP4468PBF
