类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：900V
　　最大漏极电流(ID)：11A
　　最大导通电阻(RDS(on))：典型值 0.45Ω @ VGS = 10V
　　栅极电压(VGS)：±30V
　　最大功耗(PD)：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

SKT431F09DS 的核心优势在于其出色的导通性能和高电压承受能力。其导通电阻非常低，确保在高电流工作条件下能保持较小的导通损耗，从而提高整体能效。此外，该器件的漏源电压额定值高达 900V，适用于高压电源系统，例如 AC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及 LED 照明驱动电源等。
　　在热管理方面，TO-220 封装提供了良好的散热能力，使得该 MOSFET 在高功率密度设计中依然能够维持稳定的性能。此外，该器件具有较高的栅极击穿电压（±30V），提高了其在复杂电磁环境中的可靠性和抗干扰能力。
　　从电气特性来看，SKT431F09DS 在 VGS = 10V 时的饱和电流能力较强，适合用于开关频率较高的电路。其快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提升系统效率。此外，该器件还具备良好的短路耐受能力，使其在工业控制和电源系统中具备更高的安全性和稳定性。

SKT431F09DS 主要用于中高功率的电源管理领域。典型应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、LED 照明驱动电路、电机控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　该器件的高耐压能力和低导通电阻使其非常适合用于 PFC（功率因数校正）电路中，有助于提高电源系统的整体能效。此外，在电机控制领域，SKT431F09DS 可作为 H 桥结构中的功率开关，实现对电机的高效驱动与调速。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该 MOSFET 也常用于 DC-AC 逆变电路或电池充放电控制电路中，为系统提供高效、可靠的功率控制能力。

STF9NK90Z, STW9NK90Z, FQA11N90C