IXTQ14N60P 时间：2025/8/6 11:51:11 阅读：30

IXTQ14N60P 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用于高电压和高功率应用。该器件具有较高的电流承载能力，并且采用 TO-247 封装形式，便于散热和集成到各种电力电子电路中。IXTQ14N60P 通常用于开关电源、逆变器、电机控制和工业自动化系统中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：600V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：14A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 0.38Ω
　　功率耗散 Pd：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTQ14N60P 的主要特性之一是其高电压阻断能力，最大漏源电压可达 600V，适用于高电压操作环境。该器件的导通电阻较低，典型值为 0.38Ω，有助于降低导通损耗并提高效率。此外，其最大连续漏极电流为 14A，能够支持较高的负载能力，适合用于中高功率应用。TO-247 封装形式不仅提供了良好的热管理性能，还便于安装在散热片上，从而提高整体系统的散热能力。该 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸并提高系统效率。此外，其栅极驱动要求较为简单，易于与常见的驱动电路配合使用，降低了设计复杂度。IXTQ14N60P 在工业环境中的可靠性和稳定性表现优异，符合多种安全和电磁兼容性（EMC）标准。

应用

IXTQ14N60P 主要应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关器件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，再通过变压器进行电压变换，从而提高电源效率并减小体积。在逆变器系统中，如太阳能逆变器或不间断电源（UPS），该器件可用于将直流电转换为交流电以供给负载使用。此外，它也广泛应用于电机驱动和控制电路中，例如变频器和伺服驱动器，以实现高效、精确的电机调速和控制。在工业自动化系统中，IXTQ14N60P 可用于控制大功率负载，如加热元件、电磁阀和执行器。它还可以用于电动汽车充电系统、电池管理系统（BMS）以及高功率 LED 驱动器等新兴应用领域。