SMUN5235DW1T1G 时间：2025/6/6 12:23:40 阅读：21

SMUN5235DW1T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，由 Texas Instruments 提供。该器件采用了 GaN FET 结构，具有高开关速度、低导通电阻和高效的性能特点。其设计主要针对高频 DC-DC 转换器、电信电源、服务器电源以及工业应用中的高效能电力转换系统。
　　SMUN5235DW1T1G 的封装形式为 WSON-8 封装，支持更高的功率密度和更小的解决方案尺寸，非常适合需要高效率和快速开关的应用场景。

参数

额定电压：600V
　　连续漏极电流：4.3A
　　导通电阻：55mΩ
　　栅极电荷：19nC
　　开关频率：最高可达数MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：WSON-8

特性

SMUN5235DW1T1G 具有卓越的电气性能和热性能，其主要特性包括：
　　1. 高效的氮化镓技术，显著降低导通损耗和开关损耗。
　　2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 55mΩ，有助于提高整体系统效率。
　　3. 高速开关能力，适合高频应用，减少磁性元件的体积和重量。
　　4. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强系统的可靠性。
　　5. 支持宽禁带半导体技术，具备更好的热稳定性和耐高温能力。
　　6. 小型化的 WSON-8 封装，简化 PCB 布局并优化散热性能。

应用

SMUN5235DW1T1G 广泛应用于对效率和：
　　1. 数据中心和通信设备中的高效 DC-DC 转换器。
　　2. 笔记本电脑和移动设备的快充适配器。
　　3. 电信基站的电源模块。
　　4. 工业电机驱动和可再生能源逆变器。
　　5. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换器和其他高效率电力转换应用。