IXTQ140N10P 时间：2025/8/6 11:49:48 阅读：23

IXTQ140N10P 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流、高频率和高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化系统中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：140A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5毫欧（在Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：典型值为160nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC
　　功率耗散(Pd)：300W
　　最大栅极电压：±20V

特性

IXTQ140N10P 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件在大电流工作条件下能够显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，优化了电流传导能力并增强了热稳定性。
　　该器件具有较高的电流承受能力，能够在短时间内承受过载电流而不会发生损坏，适合用于需要高可靠性的工业环境。其 TO-247 封装形式不仅便于安装和散热管理，而且适用于高功率密度设计。
　　IXTQ140N10P 还具备良好的抗雪崩能力，可以在电感性负载切换过程中吸收瞬态能量，从而提升系统的稳定性和耐用性。此外，该器件的栅极电荷较低，使得开关速度更快，降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和逆变器电路。
　　该 MOSFET 支持宽温度范围操作，可在极端环境条件下保持稳定性能，适用于汽车电子、可再生能源系统、工业电机控制和高功率电源等应用场景。

应用

IXTQ140N10P 广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用包括：高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动和控制电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。
　　由于其出色的导通和开关性能，IXTQ140N10P 也非常适合用于高频电源转换器，如 LLC 谐振转换器和 ZVS（零电压开关）拓扑结构中。在电动汽车和充电基础设施中，该器件可用于车载充电器、DC-AC 逆变器和电池均衡系统。
　　在工业领域，该器件常用于高功率电源模块、伺服电机控制器、焊接设备和电镀电源等设备中，以实现高效能和紧凑型设计。