UF3003T是一款由UTC(Unisonic Technologies)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛用于电源管理、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各种功率开关应用中。UF3003T采用TO-252(DPAK)封装,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合中高功率应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):110A(最大)
导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):100W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装:TO-252(DPAK)
UF3003T具有低导通电阻(RDS(on)),可有效降低导通损耗,提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。该MOSFET具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。此外,UF3003T的封装形式(TO-252)便于安装在PCB上,并具有良好的散热性能。其栅极设计支持标准逻辑电平驱动,兼容常见的PWM控制器和驱动IC。
该器件的制造工艺采用了先进的沟槽式MOS结构,提供了更高的单元密度和更低的导通压降。此外,UF3003T内部集成了体二极管,能够有效应对感性负载带来的反向电流问题。其封装材料符合RoHS环保标准,适用于各种工业和消费类电子产品。
UF3003T常用于电源管理系统、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、LED照明驱动电路、工业自动化设备、UPS不间断电源以及各类功率开关模块。此外,该器件也可用于汽车电子系统中的电源管理模块,如车载充电器、逆变器等应用。
SiS300DN-T1-GE3, IRF1010E, FDP30N03L, STL30N03L