UF3003T 时间：2025/9/5 16:24:17 阅读：38

UF3003T是一款由UTC（Unisonic Technologies）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各种功率开关应用中。UF3003T采用TO-252（DPAK）封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：110A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

UF3003T具有低导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，UF3003T的封装形式（TO-252）便于安装在PCB上，并具有良好的散热性能。其栅极设计支持标准逻辑电平驱动，兼容常见的PWM控制器和驱动IC。
　　该器件的制造工艺采用了先进的沟槽式MOS结构，提供了更高的单元密度和更低的导通压降。此外，UF3003T内部集成了体二极管，能够有效应对感性负载带来的反向电流问题。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。