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IXTQ120N15T 发布时间 时间:2025/8/6 11:09:02 查看 阅读:19

IXTQ120N15T是一款由IXYS公司生产的高功率双极型晶体管(BJT),设计用于需要高电流和高电压的功率电子应用。这款晶体管的结构使其能够在高电压下保持稳定的工作性能,适用于诸如电源、逆变器和马达驱动等场景。IXTQ120N15T采用了TO-247封装,具有良好的散热能力,能够处理较高的功率水平。

参数

类型: NPN双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic): 120A
  集电极-发射极击穿电压(Vceo): 150V
  最大功耗(Ptot): 300W
  工作温度范围: -55°C ~ +150°C
  封装形式: TO-247

特性

IXTQ120N15T具备较高的电流承载能力,适合高功率应用场景。其高击穿电压(Vceo)为150V,使得该晶体管能够在高压条件下稳定工作。此外,该器件的封装设计提供了良好的热管理能力,能够有效散热以避免因过热而损坏。晶体管的高性能参数使其在工业应用中表现出色,例如在电源转换器、马达控制和功率放大器中使用时,可以提供可靠的操作性能。
  该晶体管还具备较高的开关速度,能够快速响应控制信号,这在需要频繁开关操作的应用中非常重要。此外,其耐用性和稳定性使其成为高要求工业环境中的首选元件。

应用

IXTQ120N15T广泛应用于高功率电子系统,包括电源供应器、工业逆变器、马达控制器和功率放大器。其高电流和高电压处理能力使其在需要稳定和高效功率管理的场景中非常受欢迎。此外,它也适用于电动汽车充电系统和太阳能逆变器等新兴能源技术。由于其强大的性能,这款晶体管也常用于测试设备和自动化控制系统。

替代型号

IXTQ120N15T的替代型号包括IXTQ120N15AH和IXTQ120N15T2,这些型号在性能和规格上与原型号相似,适用于相同的高功率应用场景。

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IXTQ120N15T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHT™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4900pF @ 25V
  • 功率 - 最大600W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件