时间：2025/6/10 16:16:51
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CMP50N20是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等功率电子领域。其高击穿电压和低导通电阻的特性使其成为高效功率管理的理想选择。
这款MOSFET具有良好的开关性能和耐热能力，适合在高压条件下工作。同时，它还具备快速开关速度和低栅极电荷的特点，能够有效降低开关损耗。
最大漏源电压：500V
最大漏极电流：20A
最大功耗：140W
导通电阻：0.3Ω
栅极电荷：15nC
总电容（输入电容）：1800pF
漏源极电荷：35nC
1. 高击穿电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，可实现高频操作，从而提高效率。
4. 具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下可靠运行。
5. TO-220封装形式，易于安装和散热处理。
6. 低栅极电荷和米勒电容，进一步降低开关损耗。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各类工业控制设备中的功率转换与管理模块。
6. 照明系统中的LED驱动电源组件。
IRF540N
STP55NF06
FQP50N06L
