类型：电压基准
　　输出电压：10.000 V
　　初始精度：±0.06%
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：MSOP-8
　　温度系数：3 ppm/°C（典型值）
　　输出噪声：8 μVpp（0.1 Hz至10 Hz）
　　最大静态电流：1.2 mA
　　线路调整率：10 ppm/V
　　负载调整率：15 ppm/mA
　　输入电压范围：3.3 V 至 40 V
　　输出电流能力：±10 mA

ADR421ARM的核心优势在于其采用的XFET（eXtra-Floating Gate) 技术，这是一种基于双栅极MOSFET结构的创新基准架构，通过精确控制氧化层中的电荷分布来实现极其稳定的参考电压。相比传统双极型带隙基准，XFET技术显著降低了热敏性和老化效应带来的长期漂移问题，使得器件在全生命周期内维持高精度表现。该芯片的温度系数仅为3 ppm/°C（典型值），在-40°C至+125°C的工作温度范围内，总输出电压变化不超过±30 ppm，相当于满量程误差小于±0.003%，这对于要求极高稳定性的精密测量系统至关重要。
　　另一个关键特性是其极低的输出噪声水平，在0.1 Hz至10 Hz频段内的峰峰值噪声低至8 μVpp，远优于大多数同类产品，从而避免对高分辨率ADC（如24位Σ-Δ型转换器）造成信噪比劣化。同时，它具备良好的线路与负载调整能力，线路调整率为10 ppm/V，负载调整率为15 ppm/mA，即使在电源波动或负载瞬变情况下也能维持输出电压的高度一致性。此外，ADR421ARM内置了频率补偿电路，允许直接驱动高达1 μF的容性负载而不发生振荡，极大简化了外围设计复杂度，并提高了抗干扰能力。
　　该器件还具备出色的长期稳定性，年漂移指标典型值为25 ppm/年，经过适当的老化预处理后可进一步降低，适用于需要长时间免校准运行的应用场景。其静态电流最大仅为1.2 mA，兼顾了高性能与低功耗需求，适合用于电池供电或能量受限的精密设备。所有这些特性共同构成了ADR421ARM作为顶级电压基准解决方案的技术基础，使其成为高端工业与科学仪器领域的首选之一。

ADR421ARM广泛应用于对电压精度和稳定性有严苛要求的电子系统中。在数据采集系统中，它常作为模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考电压源，尤其适用于高分辨率（16位及以上）转换器，以确保转换结果的准确性和重复性。在精密测量仪器如数字万用表、示波器和源测量单元（SMU）中，ADR421提供稳定的基准电压，支撑整个系统的计量准确性。在工业自动化领域，该芯片用于PLC（可编程逻辑控制器）、过程变送器和传感器信号调理模块，为压力、温度、流量等物理量的测量提供可靠参考。
　　在医疗电子设备中，例如病人监护仪、血液分析仪和成像系统，ADR421ARM因其低噪声和高可靠性而被用于关键信号链路中，保障诊断数据的真实性和安全性。此外，在自动测试设备（ATE）和半导体测试平台中，它作为主基准源，支持多通道同步测试中的电压校准与偏置设置。在航空航天与国防系统中，其宽温工作能力和长期稳定性满足极端环境下的使用需求，可用于惯性导航系统、雷达信号处理和通信模块中的电源管理单元。
　　该器件也适用于高精度电源管理系统，如实验室直流电源、电池管理系统（BMS）中的电压监测单元，以及需要精密电压基准的校准设备。由于其能够驱动容性负载且无需外部缓冲，因此在布局紧凑的PCB设计中具有明显优势，减少了元件数量和板级空间占用。总之，凡是对电压基准的噪声、温漂、长期稳定性和负载驱动能力有高标准要求的应用，ADR421ARM都是一个理想的选择。

ADR421ARZ
　　ADR421ARMZ
　　REF102KP
　　LM399H