IXTP4N95 时间：2025/8/6 2:50:20 阅读：4

IXTP4N95是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能与高可靠性的电子设备中。这款MOSFET具备高电压和大电流处理能力，使其适合用于电源转换、电机控制和各种高功率开关应用。IXTP4N95采用了先进的制造工艺，确保了在高频率下的高效运行，同时降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。其封装形式为TO-220，便于安装和散热管理。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：950V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.2Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IXTP4N95的主要特性之一是其高电压耐受能力，能够承受高达950V的漏源电压，这使得它非常适合用于高电压应用。此外，该器件具有较低的导通电阻，在4A电流下约为2.2Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。
　　另一个重要特性是其高功率耗散能力，IXTP4N95可以耗散高达125W的功率，这在高功率应用中尤为重要。它的TO-220封装设计不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保了器件在高负载条件下的稳定运行。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±30V，提供了较大的栅极驱动灵活性，适用于多种驱动电路设计。同时，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境条件下仍能保持可靠的性能。

应用

IXTP4N95广泛应用于多种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、电机控制器、逆变器以及各种需要高电压和大电流处理能力的工业控制系统。其高可靠性和高效能使其成为电源管理和转换应用的理想选择。
　　在开关电源中，IXTP4N95用于实现高效的DC-DC转换和AC-DC转换，其低导通电阻和高功率耗散能力有助于提高电源转换效率并减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET可用于驱动直流电机和步进电机，提供精确的速度和扭矩控制。
　　此外，IXTP4N95也常用于逆变器电路中，将直流电源转换为交流电源，适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和其他能源转换系统。在工业自动化和控制系统中，该器件可用于高电压开关应用，如继电器替代、负载切换和高功率LED驱动等。