LM3478QMM/NOPB是一款由Texas Instruments生产的高性能升压型DC-DC控制器芯片,采用外部N沟道MOSFET架构。该器件适用于需要高效、宽输入电压范围的开关电源设计,支持多种拓扑结构,如升压(Boost)、反激式(Flyback)和SEPIC等。LM3478QMM/NOPB采用电流模式控制,具有出色的线路和负载瞬态响应能力,并集成了多种保护功能以增强系统可靠性。
类型:DC-DC升压控制器
拓扑结构:Boost, Flyback, SEPIC
输出数量:1
输入电压范围:6V至60V
工作频率:100kHz至1MHz可调
控制器类型:电流模式
封装类型:TSSOP-16
温度范围:-40°C至+125°C
最大占空比:97%
启动电流:低于10μA
工作电流:典型值5.5mA
栅极驱动电压:7.2V内部稳压
过热保护:内置
欠压锁定:有
LM3478QMM/NOPB的主要特性包括宽广的输入电压范围(6V至60V),这使其适用于多种工业、汽车和通信应用。其电流模式控制架构提供快速的瞬态响应和优异的稳定性,同时允许并联操作以实现更高的输出功率。该器件具备可编程的开关频率设置,可在100kHz至1MHz之间调节,以优化EMI性能或减小外部元件尺寸。
此外,LM3478QMM/NOPB内置了软启动功能,防止启动时的电流冲击;并提供了多个保护机制,包括逐周期限流、打嗝模式过载保护、过热关断以及可编程的输入欠压锁定(UVLO)。这些功能共同确保了系统在各种工况下的稳定性和安全性。
该芯片还支持外部同步功能,便于与系统主时钟同步,减少EMI干扰。其7.2V的栅极驱动电压可以有效驱动高侧N沟道MOSFET,提高转换效率。TSSOP-16封装形式则为用户提供了紧凑且易于布线的解决方案。
LM3478QMM/NOPB广泛应用于需要高效升压转换的场合,例如汽车电子系统中的电池供电设备、工业自动化控制系统、电信基础设施、LED照明驱动器以及便携式医疗设备等。由于其支持多种拓扑结构,因此也可用于构建隔离式电源转换器(如反激式变换器)或非隔离式电源(如升压和SEPIC变换器)。此外,在需要宽输入电压范围和高可靠性的恶劣环境中,该器件同样表现出色。
LM5118MM/NOPB, LT3799EDD, NCP12700DR2G