BR80N06 时间：2025/7/11 12:43:15 阅读：13

BR80N06是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率控制的电路中。该器件以其低导通电阻和高电流能力著称，能够提供高效的功率转换和较低的功耗。
　　BR80N06采用了先进的制造工艺，使其能够在较高的频率下运行，并保持良好的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：80A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　输入电容：2170pF
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

BR80N06具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
　　2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能，适用于高频电路设计。
　　4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 紧凑的封装形式，便于在空间受限的设计中使用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

BR80N06广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源和适配器中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流器。
　　3. 电机驱动电路中的功率级开关。
　　4. 各种负载开关和保护电路。
　　5. 太阳能逆变器和其他新能源设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子系统中的直流电机控制和负载切换。
　　7. 工业自动化设备中的功率调节与分配。