时间：2025/8/6 12:54:23
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IXTP3N60P是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种电源管理设备。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：3A
导通电阻(Rds(on))：2.5Ω
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
IXTP3N60P采用了先进的MOSFET技术，具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件的高栅源电压耐受能力使其在复杂的工作环境中表现出色。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定的性能。
该器件的封装设计便于散热，适用于需要高可靠性的工业应用。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，IXTP3N60P的低栅极电荷有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
IXTP3N60P广泛应用于开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器、DC-DC转换器、电池充电器以及工业自动化设备。此外，该器件也可用于消费类电子产品中的电源管理模块，提供高效、稳定的电力转换解决方案。
STP3NK60Z, IRFP460, FQA3N60C
