时间：2025/12/28 20:13:34
阅读：12
ATV06B161JB-HF是一款由Advanced Analog Technology（先进模拟科技）生产的功率MOSFET器件，广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件采用高性能的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高效率的特性，适用于各类电源管理应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大1.6mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
安装类型：表面贴装
ATV06B161JB-HF具备多项先进特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，其低导通电阻在高电流负载下尤为关键，有助于提升整体能效并降低发热量。
其次，该器件的额定漏极电流高达60A，适用于大功率负载切换和DC-DC转换器等应用。其最大漏极-源极电压为60V，适用于多种中高压电源管理系统。栅极-源极电压容限为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，支持多种驱动IC的直接控制。
ATV06B161JB-HF广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源适配器、服务器电源、UPS（不间断电源）系统、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及高功率LED照明驱动电路等。
SiR178DP-T1-GE3, IPB06N041N3 G, IRF1404ZPBF
