STB6N65M2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET,主要设计用于高效率电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及电机控制应用。该器件采用了先进的MESH OVERLAY技术,使其在高压和高电流条件下仍能保持优异的导通和开关性能。STB6N65M2具有低导通电阻、高击穿电压和高功率耗散能力,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):1.3Ω(最大)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
功耗(Pd):60W
工作温度范围:-55°C~150°C
封装形式:TO-220
STB6N65M2 MOSFET采用STMicroelectronics的先进MESH OVERLAY技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,使其在高频率工作条件下仍能保持高效性能。该器件具有1.3Ω的最大导通电阻(Rds(on)),在6A连续漏极电流下可实现更低的功率损耗,提高整体系统效率。
此外,STB6N65M2具备650V的高漏源击穿电压,能够承受较高的电压应力,适用于各种高压应用环境。该MOSFET还具有良好的热稳定性和散热能力,其TO-220封装结构有助于有效散热,确保器件在高负载条件下的可靠运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常在10V至15V之间工作,能够与多种驱动电路兼容。同时,STB6N65M2具有较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定,增强了系统的鲁棒性。
STB6N65M2的封装形式为TO-220,这种封装结构不仅便于安装和散热,还具有良好的机械强度和电气绝缘性能,适用于多种工业应用场景。
STB6N65M2广泛应用于各类电力电子系统中,特别是在开关电源(SMPS)、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器和照明控制系统中表现出色。由于其高耐压能力和低导通电阻特性,该器件非常适合用于高效能、高稳定性的电源设计。在消费类电子产品中,如电视机电源、LED驱动器和智能家电中,STB6N65M2也常被用作主开关管。此外,该MOSFET还可用于工业自动化控制、UPS不间断电源系统和电动车充电器等高可靠性应用场合。
STP6NK60Z, FQA6N60, IRFBC40