STB6N65M2 时间：2025/7/22 5:25:24 阅读：10

STB6N65M2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，主要设计用于高效率电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制应用。该器件采用了先进的MESH OVERLAY技术，使其在高压和高电流条件下仍能保持优异的导通和开关性能。STB6N65M2具有低导通电阻、高击穿电压和高功率耗散能力，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：6A
　　导通电阻(Rds(on))：1.3Ω（最大）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STB6N65M2 MOSFET采用STMicroelectronics的先进MESH OVERLAY技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频率工作条件下仍能保持高效性能。该器件具有1.3Ω的最大导通电阻（Rds(on)），在6A连续漏极电流下可实现更低的功率损耗，提高整体系统效率。
　　此外，STB6N65M2具备650V的高漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于各种高压应用环境。该MOSFET还具有良好的热稳定性和散热能力，其TO-220封装结构有助于有效散热，确保器件在高负载条件下的可靠运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至15V之间工作，能够与多种驱动电路兼容。同时，STB6N65M2具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，增强了系统的鲁棒性。
　　STB6N65M2的封装形式为TO-220，这种封装结构不仅便于安装和散热，还具有良好的机械强度和电气绝缘性能，适用于多种工业应用场景。

应用

STB6N65M2广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器和照明控制系统中表现出色。由于其高耐压能力和低导通电阻特性，该器件非常适合用于高效能、高稳定性的电源设计。在消费类电子产品中，如电视机电源、LED驱动器和智能家电中，STB6N65M2也常被用作主开关管。此外，该MOSFET还可用于工业自动化控制、UPS不间断电源系统和电动车充电器等高可靠性应用场合。