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IXTP2N100P 时间：2024/9/6 14:42:56 阅读：346

技术参数

极性:N-CH
　　耗散功率:86W(Tc)
　　漏源极电压(Vds):1000 V
　　连续漏极电流(Ids):2A
　　上升时间:29 ns
　　输入电容(Ciss):655pF 25V(Vds)
　　下降时间:27 ns
　　工作温度(Max):150℃
　　工作温度(Min):-55℃
　　耗散功率(Max):86W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
　　引脚数:3
　　封装:TO-220-3

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

IXTP2N100P推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXTP2N100P
艾润（香港）电子有限公司
28000
原厂品牌
-/-

IXTP2N100P
深圳市集好芯城科技有限公司
65493
台产
20+/TO220

IXTP2N100P
深圳市创芯联盈电子有限公司
6800
IXYS/艾赛斯
23+/TO220

IXTP2N100P
深圳市腾桩电子有限公司
6800
IXYS/艾赛斯
23+/TO220

IXTP2N100P
深圳市亿科泰电子科技有限公司
22500
IXYS
16+RoHS/TO220

IXTP2N100P
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO220

IXTP2N100P
深圳市佳微科技有限公司
8200
HITACHI/日立
23+/DIP

IXTP2N100P
深圳市昴泽电子有限公司
9811
22+/

IXTP2N100P
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8000
IXYS
2024+/TO220

IXTP2N100P
上海熠富电子科技有限公司
70599
IXYS
2024/TO220

IXTP2N100P
深圳市金嘉锐电子有限公司
9860
IXYS
24+/TO220

IXTP2N100P
深圳市富科达科技有限公司
38500
IXYS
20+/TO220

IXTP2N100P
深圳市跃创芯科技有限公司
30000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO220

IXTP2N100P
深圳市优美贝电子有限公司
18000
IXYS
2023+/TO220

IXTP2N100P
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
32365
IXYS
19+/TO220

IXTP2N100P
深圳市科鑫美电子有限公司
9000
IXYS
22+/TO2203

IXTP2N100P
深圳市源鸿泰电子有限公司
36461
IXYS
21+/TO220AB

IXTP2N100P
深圳市港禾科技有限公司
50000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO220

IXTP2N100P
深圳市群川盛达电子有限公司
20000
IXYSLittelfuse
24+/TO220

IXTP2N100P
深圳市祥润达电子有限公司
18000
IXYS
2023+/TO220

IXTP2N100P相关型号推荐

IC词条百科

IXTP2N100P参数

标准包装50
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列Polar™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs24.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds655pF @ 25V
功率 - 最大86W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220
包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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