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IXTP2N100P 发布时间 时间：2024/9/6 14:42:56 查看 阅读：602

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技术参数

极性:N-CH
　　耗散功率:86W(Tc)
　　漏源极电压(Vds):1000 V
　　连续漏极电流(Ids):2A
　　上升时间:29 ns
　　输入电容(Ciss):655pF 25V(Vds)
　　下降时间:27 ns
　　工作温度(Max):150℃
　　工作温度(Min):-55℃
　　耗散功率(Max):86W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
　　引脚数:3
　　封装:TO-220-3

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

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IC词条百科

IXTP2N100P参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C7.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds655pF @ 25V
  • 功率 - 最大86W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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