时间：2025/7/17 21:35:14
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FDS86252 是一款 N 沀道尔 (N-Channel) 增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用 Fairchild（现为 ON Semiconductor）公司的先进制造工艺，具备出色的电气性能和可靠性，适合用于电源管理、电机驱动、负载开关等应用领域。
该器件的封装形式为 SO-8（也称为 DPAK），具有较小的体积和良好的散热性能，便于在高密度设计中使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：3.8nC
总电容（Ciss）：980pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适用于高频应用。
3. 较低的栅极电荷 Qg，可减少驱动损耗。
4. 高雪崩击穿能量，提供更强的过载保护能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 采用 SO-8 封装，便于表面贴装和散热。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率开关。
5. 各类消费电子设备中的功率管理模块。
6. 工业控制中的信号隔离与功率切换。
IRF7404, AO3400, SI4446DY
