ME75N03 时间：2025/6/24 3:42:51 阅读：7

ME75N03 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等领域。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于需要高效能和低损耗的应用场景。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的设计标准。
　　ME75N03 的设计使其能够在高频条件下保持稳定的性能，并且具备良好的热稳定性和可靠性，这使得它在消费电子、工业设备以及汽车电子领域中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻：3mΩ
　　栅极电荷：11nC
　　总电容：1250pF
　　功耗：180W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

ME75N03 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
　　2. 高速开关能力，适用于高频应用场合。
　　3. 良好的热稳定性，即使在极端温度环境下也能保证可靠运行。
　　4. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间，便于安装和维护。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅材料确保长期使用安全性。
　　6. 内置保护机制，如过流保护和短路保护功能，增强了产品的耐用性。

应用

ME75N03 可用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
　　4. 电池管理系统中的负载开关。
　　5. LED 驱动器中的功率调节模块。
　　6. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
　　7. 汽车电子系统中的电源管理和信号切换部件。