IXTP26P20 时间：2025/8/6 1:10:31 阅读：13

IXTP26P20 是由 IXYS 公司生产的一款 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高电压应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，适用于电源转换、电机控制、电池管理系统和其他需要高效能功率开关的场合。

参数

类型：P 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：26A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 80mΩ（在 Vgs = 10V 时）
　　最大功耗（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXTP26P20 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻 Rds(on) 使得在导通状态下功率损耗最小化，提高了系统的整体效率。其次，该器件的高耐压能力（Vds = 200V）使其适用于多种高压应用，例如开关电源、逆变器和直流电机驱动器。
　　此外，IXTP26P20 采用了 TO-247AC 封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高电流和高功率应用中的稳定运行。该封装还提供了较大的引脚间距，增强了器件在高压环境下的绝缘性能。
　　该 MOSFET 还具有良好的栅极驱动特性，能够在较宽的栅极电压范围内（±20V）稳定工作，适用于多种驱动电路设计。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。
　　在可靠性方面，IXTP26P20 设计有良好的短路和过热保护能力，能够在极端工况下维持器件的长期稳定性，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。

应用

IXTP26P20 广泛应用于多种功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
　　在工业自动化领域，IXTP26P20 可用于伺服电机控制、变频器和不间断电源（UPS）系统中，作为主功率开关器件。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用。
　　此外，该器件也可用于太阳能逆变器和储能系统中，作为能量转换和控制的核心元件。其优异的热管理和高可靠性使其在高温和恶劣环境下依然能够稳定运行。
　　对于设计工程师而言，IXTP26P20 提供了灵活的电路设计选项，支持多种拓扑结构，如半桥、全桥和同步整流等，满足不同应用需求。