时间：2025/6/11 10:59:21
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TFD130N04N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能开关和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。其额定电压为40V，适用于广泛的工业和消费类电子产品中，包括电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
该MOSFET的主要特点是低Rds(on)（导通电阻），能够有效降低功耗并提高系统效率。同时，它还具备较高的电流处理能力，使其在高负载条件下表现优异。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：130A
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：52nC（典型值）
输入电容：2800pF（典型值）
总功耗：250W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
3. 快速开关特性，适合高频开关应用。
4. 优秀的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 提供出色的雪崩能力和抗静电能力，确保在严苛条件下的耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 充电器和适配器中的功率调节器件。
IRF3205
FDP150N04L
STP130NF04
IXFN130N04T2
