时间：2025/9/2 2:15:39
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H9CCNNNBLTALAR-NTM 是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为高性能、低功耗需求的应用而设计，广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统等领域。
容量：8Gb
封装类型：FBGA
引脚数：134
工作电压：1.1V/1.5V
数据速率：3200Mbps
组织结构：x16
时钟频率：1600MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9CCNNNBLTALAR-NTM 采用先进的DRAM技术，具备高带宽和低功耗的特性。其LPDDR4规格支持高速数据传输，适用于需要大量数据处理能力的设备。此外，该芯片采用小型化封装技术，适用于空间受限的应用场景。其1.1V/1.5V的双电压供电设计，有助于在不同工作条件下优化能耗表现。同时，该芯片具有良好的稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定运行，适合工业级应用。
这款DRAM芯片还具备优异的抗干扰能力和数据完整性，支持高级错误校正和校验功能，以确保数据传输的准确性和稳定性。其x16的数据总线宽度设计，使其在多任务处理和大数据吞吐量场景下表现出色。此外，H9CCNNNBLTALAR-NTM 还集成了多种低功耗模式，如自刷新模式、深度掉电模式等，以进一步延长设备的电池续航时间。
该芯片主要应用于移动设备，如智能手机和平板电脑，用于提升设备的运行速度和多任务处理能力。此外，它也可用于嵌入式系统、工业计算机、车载信息娱乐系统以及其他需要高性能内存的电子产品中。其低功耗特性使其成为便携式电子设备的理想选择，同时在需要高性能计算的边缘计算设备和IoT设备中也有广泛应用。
H9CCNNNBLTALAR-NM, H9CCNNNCTMUMRX-NTM, H9CCNNNBLTALAR-NTL
