时间：2025/6/26 17:56:27
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DMN2004K-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用DFN3030-8封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计。
型号：DMN2004K-7
封装：DFN3030-8
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：16A
栅极电荷：3.9nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ to +150℃
DMN2004K-7具备极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
它采用了先进的制造工艺以确保卓越的热性能和电气性能。
由于其小型化设计，该器件非常适合用于便携式设备和其他需要紧凑解决方案的应用。
此外，该MOSFET还提供了快速开关能力，可减少开关损耗，并支持高频操作环境。
它的高电流承载能力和宽工作温度范围也使其能够适应多种严苛的工作条件。
DMN2004K-7广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理。
在消费类电子产品中，如智能手机和平板电脑，它可以作为高效的功率开关。
同时，在工业领域，该MOSFET也可用于通信设备、网络基础设施及自动化控制等场景。
DMN2004UFQ-7
DMN2004LG-7
