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IXTP20N65XM 发布时间 时间:2025/8/6 5:44:11 查看 阅读:14

IXTP20N65XM 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于高功率开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点,适用于如电源转换器、马达驱动、不间断电源(UPS)和工业自动化系统等应用场景。

参数

类型:N 沟道
  漏源电压(VDS):650 V
  漏极电流(ID):20 A(在 Tc=100℃)
  导通电阻(RDS(on)):0.23 Ω(最大值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):4.5 V(最小值)
  功耗(Ptot):180 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

IXTP20N65XM 的设计采用了先进的 CoolMOS? 技术,这种技术使得该 MOSFET 在高压应用中具备极低的导通损耗和开关损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该器件还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温度环境下稳定工作。其低导通电阻(RDS(on))有助于减少功率损耗,提高系统效率。该器件的栅极驱动要求较低,适用于各种常见的栅极驱动电路。
  IXTP20N65XM 还具备良好的短路耐受能力,这使得它在一些高要求的工业应用中表现出色。此外,其 TO-220 封装提供了良好的散热性能,便于在高功率应用中使用。该 MOSFET 的设计还考虑到了环保要求,符合 RoHS 指令。

应用

IXTP20N65XM 广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动和控制电路
  3. 不间断电源(UPS)系统
  4. 工业自动化设备
  5. 电焊设备
  6. 光伏逆变器
  7. 电池充电器
  由于其高耐压和低导通电阻特性,该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。

替代型号

IXTP20N65XMA1
  SPW20N60CFD7
  IPW60R028C7

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IXTP20N65XM参数

  • 现有数量0现货950Factory查看交期
  • 价格50 : ¥62.67700管件
  • 系列Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)210 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1390 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)63W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3