IXTP20N65XM 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于高功率开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高效率的特点,适用于如电源转换器、马达驱动、不间断电源(UPS)和工业自动化系统等应用场景。
类型:N 沟道
漏源电压(VDS):650 V
漏极电流(ID):20 A(在 Tc=100℃)
导通电阻(RDS(on)):0.23 Ω(最大值)
栅极阈值电压(VGS(th)):4.5 V(最小值)
功耗(Ptot):180 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
IXTP20N65XM 的设计采用了先进的 CoolMOS? 技术,这种技术使得该 MOSFET 在高压应用中具备极低的导通损耗和开关损耗,从而提高了整体系统效率。此外,该器件还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温度环境下稳定工作。其低导通电阻(RDS(on))有助于减少功率损耗,提高系统效率。该器件的栅极驱动要求较低,适用于各种常见的栅极驱动电路。
IXTP20N65XM 还具备良好的短路耐受能力,这使得它在一些高要求的工业应用中表现出色。此外,其 TO-220 封装提供了良好的散热性能,便于在高功率应用中使用。该 MOSFET 的设计还考虑到了环保要求,符合 RoHS 指令。
IXTP20N65XM 广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动和控制电路
3. 不间断电源(UPS)系统
4. 工业自动化设备
5. 电焊设备
6. 光伏逆变器
7. 电池充电器
由于其高耐压和低导通电阻特性,该 MOSFET 特别适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
IXTP20N65XMA1
SPW20N60CFD7
IPW60R028C7