IXTP200N055T 时间：2025/8/5 22:06:49 阅读：18

IXTP200N055T是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率MOSFET晶体管，属于OptiMOS?系列。这款MOSFET专为高效率功率转换设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、服务器电源、电信设备以及电动车辆系统等高性能功率电子设备中。IXTP200N055T采用了先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗。

参数

类型：功率MOSFET
　　技术：N沟道增强型
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　最大漏-源电压（VDS）：55V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220
　　安装方式：通孔插装
　　功率耗散（PD）：300W

特性

IXTP200N055T具有多项优异的电气和物理特性。其最大漏极电流可达200A，漏-源电压最大为55V，适用于中低压功率转换应用。该MOSFET的导通电阻非常低，最大仅为5.5mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件支持±20V的最大栅极电压，具备良好的抗过压能力。
　　该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。其工作温度范围为-55°C至175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于各种严苛环境下的应用。该器件的功率耗散能力为300W，能够在较高负载条件下稳定运行。
　　IXTP200N055T还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动器等。这些特性使其成为高性能电源设计的理想选择。

应用

IXTP200N055T适用于多种高功率和高效率电子系统。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备以及电动工具和电动车控制系统等。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换电路。此外，该器件也广泛应用于工业自动化系统、不间断电源（UPS）以及功率因数校正（PFC）电路中。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IXTP200N055T也能提供稳定的功率控制性能。