类型：射频MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：250 V
　　最大漏极电流（Id）：0.7 A
　　频率范围：DC至1 GHz
　　输出功率：典型值为130 W（在脉冲模式下）
　　增益：约18 dB（在1 GHz时）
　　效率：高达65%以上
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

GSRFTA139E1具备多个优异的电气和物理特性，使其成为高性能射频系统中的理想选择。
　　GSRFTA139E1具有较高的功率处理能力，能够在高频环境下提供稳定的输出功率。其漏源电压可达250V，漏极电流为0.7A，能够承受较高的电压和电流应力，保证器件在高压大电流下的可靠性。
　　此外，该器件的工作频率范围覆盖从直流到1GHz，适合多种射频应用场景。在1GHz频率下，其典型增益约为18dB，有助于减少外部放大器的需求，从而简化电路设计。同时，GSRFTA139E1的效率可达到65%以上，减少了能量损耗，提高了系统的整体能效。
　　该器件采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于需要高效散热的应用场景。其工作温度范围为-55°C至+150°C，确保了在极端环境下的稳定运行。
　　GSRFTA139E1还具备出色的线性度和低失真特性，这使得它在多载波通信系统中表现出色，能够有效降低信号干扰和失真，提高通信质量。

GSRFTA139E1广泛应用于各种射频功率放大器设计中，尤其是在通信基站、无线基础设施、广播发射机和工业加热设备等领域。
　　在通信领域，该器件可用于构建高效的射频功率放大器模块，满足4G/5G基站对高功率、高频率和高可靠性的要求。由于其高增益和高效率，可以显著减少功放模块的数量，降低系统成本和复杂度。
　　在广播行业，GSRFTA139E1可用于调幅（AM）和调频（FM）广播发射机的输出级，提供高质量的音频传输。
　　此外，在工业和科学仪器中，该器件也可用于射频测试设备、等离子体发生器以及感应加热装置，提供稳定可靠的射频能量输出。
　　在军事和航空航天领域，GSRFTA139E1凭借其宽温度范围和高可靠性，也常用于雷达系统和卫星通信设备中。

IXYS IXRFD139E1, Cree CGH40130