时间：2025/12/28 14:41:24
阅读：10
KTB989是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于高开关频率和低导通电阻，适用于各种高功率应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理模块。KTB989采用先进的工艺制造，具有良好的热稳定性和电气性能，确保在严苛工作环境下的可靠运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：≤2.9mΩ（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃～+175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
KTB989具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，提高整体效率。其低Rds(on)特性也减少了热生成，从而提高了系统的可靠性和寿命。
此外，KTB989具备优异的热管理能力，能够在高负载条件下维持稳定性能，避免因温度过高而导致的器件损坏。这种特性在高功率密度设计中尤为重要。
该MOSFET支持高开关频率操作，适用于高频DC-DC转换器和其他需要快速开关的应用。这有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而实现更紧凑的系统设计。
为了确保长期稳定性，KTB989在制造过程中采用了先进的封装技术和材料，提供了良好的抗湿性和抗腐蚀能力，适合在恶劣环境中使用。
KTB989常用于汽车电子系统、工业电源、服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及各种高功率便携设备中。在汽车应用中，它可以用于电动助力转向系统、车载充电器和电池管理系统等关键部件。在工业领域，该器件适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业自动化控制系统。
IRF1405, SiR142DP, FDS4410
