IXFN70N60 时间：2025/8/5 17:35:08 阅读：10

IXFN70N60 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于高效能电源转换设备，如 DC-DC 转换器、电机控制器、逆变器和不间断电源（UPS）系统。IXFN70N60 采用 TO-247 封装，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于需要高频率工作的应用环境。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：70A
　　最大漏-源电压：600V
　　导通电阻：0.045Ω（典型值）
　　栅极电荷：170nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-247

特性

IXFN70N60 MOSFET 的设计使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻非常低，减少了导通损耗，有助于提高整体系统的效率。此外，该器件的栅极电荷较低，使得开关速度更快，从而降低了开关损耗，并使其适用于高频开关电路。该 MOSFET 还具有较高的热稳定性和良好的雪崩能量耐受能力，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。TO-247 封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上以进一步提高热管理能力。
　　该器件还具备高耐用性和可靠性，适用于需要长时间连续运行的工业设备。此外，IXFN70N60 的制造工艺确保了其在高温下仍能保持稳定的电气性能，使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择。

应用

IXFN70N60 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：高效能电源转换器、DC-DC 升压/降压模块、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化控制系统以及太阳能逆变器等。由于其具备高电流承载能力和快速开关特性，该 MOSFET 在高频开关电路中表现尤为突出，能够有效提升系统的整体效率和稳定性。