类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大80mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-223

2SK3684-01S-TE24R具备多项优良特性，适用于多种高性能功率管理场景。其导通电阻非常低，最大值仅为80毫欧，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET支持高达4A的连续漏极电流，适合中等功率应用，例如电源适配器、DC-DC转换器和负载开关。
　　该器件采用Toshiba的沟槽式MOSFET技术，使晶体管具有更高的单元密度，从而减小芯片尺寸，同时保持优异的电气性能。这不仅提高了器件的开关速度，还降低了开关损耗，有助于实现高频操作，适用于要求紧凑设计和高能效的电子设备。
　　2SK3684-01S-TE24R采用SOT-223封装，具有良好的热管理能力，确保在较高功耗条件下依然稳定工作。这种封装形式也便于在PCB上安装和焊接，适用于自动化生产和高密度电路布局。此外，其栅源电压范围为±20V，具有较强的抗电压波动能力，提高了器件在复杂电磁环境中的可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的短路和过热保护能力，能够在一定程度上防止因异常工作条件导致的损坏，从而延长设备使用寿命。

2SK3684-01S-TE24R广泛应用于多个电子领域，尤其适用于需要高效能功率管理的设备。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动电路以及电源管理模块。由于其具备低导通电阻和快速开关特性，该器件特别适合用于便携式电子设备的电源部分，如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电管理电路。
　　此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动、工业自动化设备和汽车电子系统。在汽车电子方面，可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池监控模块。其SOT-223封装形式适合空间受限的PCB设计，同时具备良好的散热性能，使其在高温环境下依然能够稳定运行。
　　在电源适配器和小型逆变器中，该器件可作为主开关元件，用于提高转换效率并减少能量损耗。对于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统，该MOSFET能够提供长期稳定的工作性能。

Si2302DS, 2N7002K, FDV301N