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HSMS-2812-TR2G 发布时间 时间:2025/9/15 19:49:59 查看 阅读:16

HSMS-2812-TR2G 是一款由安华高科技(Avago Technologies)推出的射频(RF)肖特基二极管,常用于无线通信系统中的检波、混频和开关应用。这款二极管具有低电容、低正向电压降和快速恢复时间的特点,适用于高频信号处理。

参数

最大正向电流:20 mA
  最大反向电压:5 V
  电容(@ 1 MHz):0.2 pF
  正向电压降:0.3 V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

HSMS-2812-TR2G 的主要特性之一是其低电容设计,使其在高频环境下表现出色,特别适合用于GHz范围内的信号处理。此外,其低正向电压降有助于减少信号失真,提高系统效率。该器件还具有快速恢复时间,使其在高频开关应用中表现优异。
  该二极管采用 SOT-23 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。其热稳定性和可靠性较高,适用于各种苛刻的工作环境,包括高温和低温条件。
  HSMS-2812-TR2G 采用成熟的肖特基二极管技术,确保了在射频电路中的稳定性能。它通常用于无线基础设施、测试设备、射频传感器和工业控制系统中。

应用

HSMS-2812-TR2G 主要用于射频信号检测、混频、调制解调、低噪声开关以及射频能量采集等应用。它广泛应用于无线通信设备、基站系统、测试仪器、射频识别(RFID)系统以及工业自动化设备中。由于其高频性能优异,也常用于微波通信和雷达系统中的信号处理模块。

替代型号

HSMS-2850, HSMS-2825, SMS7630-001

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HSMS-2812-TR2G参数

  • 数据列表HSMS-281x
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)20V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F1.2pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)