IXTN46N50L 时间：2025/8/6 11:20:28 阅读：26

IXTN46N50L是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器、逆变器和各种高功率电子系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适合需要高效能和高可靠性的场合。IXTN46N50L采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：500V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　漏极连续电流(Id)：46A
　　导通电阻(Rds(on))：0.14Ω（最大）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTN46N50L的主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极电压最大可达500V，使其适用于高电压工作环境，如工业电源和逆变器设计。此外，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.14Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的漏极连续电流能力为46A，具备较强的电流承载能力，适合高功率密度应用。其最大功耗为200W，结合TO-247封装的良好散热性能，能够在较高功率条件下稳定运行。
　　IXTN46N50L的栅极-源极电压范围为±20V，设计上具备一定的过压保护能力，同时支持多种驱动电路配置。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于较宽的环境温度条件，增强了在工业级应用中的可靠性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。TO-247封装不仅提供良好的热管理，还便于与其他电路元件集成，提升整体系统的稳定性。

应用

IXTN46N50L主要应用于高功率开关电源系统，如AC-DC电源适配器、服务器电源和工业电源模块。其高耐压和低导通电阻特性也使其成为电机控制和驱动电路的理想选择，尤其适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制。
　　在可再生能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器和风能转换系统的功率转换模块中，支持高效的能量转换和稳定的系统运行。
　　此外，IXTN46N50L也广泛用于DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统、电池充电器和电子负载设备中，提供高效率和高可靠性的功率管理解决方案。