您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > ZXMC4A16DN8TA

ZXMC4A16DN8TA 发布时间 时间:2025/7/11 10:47:37 查看 阅读:14

ZXMC4A16DN8TA 是一款高性能的 CMOS 工艺制造的静态随机存取存储器(SRAM),具有高速存取、低功耗和高可靠性的特点。该芯片采用先进的封装技术,适用于需要快速数据读写和稳定性能的各种应用场景。
  其主要功能是提供临时数据存储解决方案,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子以及其他对速度和稳定性要求较高的领域。

参数

容量:512K x 8 bits
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  存取时间:最低 10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TQFP
  引脚数:44
  数据保留时间:无限(电源开启时)
  接口类型:同步

特性

ZXMC4A16DN8TA 的主要特性包括高速存取能力,能够在 10 纳秒内完成数据读写操作。它支持宽范围的工作电压,增强了在不同环境下的适应性。同时,该芯片具备低功耗模式,在待机状态下可显著减少能量消耗。
  此外,芯片内置了强大的数据保护机制,确保在各种条件下的数据完整性。采用 TQFP 封装形式,提供了良好的散热性能和机械稳定性,适合大规模生产和长期使用。
  芯片还支持多种工作模式,用户可以根据实际需求灵活配置其运行状态,进一步优化性能表现。

应用

ZXMC4A16DN8TA 广泛应用于需要高性能 SRAM 存储的场合,如网络交换机、路由器等通信设备中的数据缓冲。在工业自动化领域,可用于实时控制系统中的临时数据存储。此外,它也适用于医疗设备、测试测量仪器以及高端消费电子产品中,为这些设备提供快速且可靠的内存解决方案。
  由于其出色的性能和可靠性,这款芯片还可用于航空航天和国防领域的关键任务系统,满足苛刻环境下的应用需求。

替代型号

ZXMC4A16DN8TA-C, IS61LV25616BLL, CY62148EV30LL

ZXMC4A16DN8TA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

ZXMC4A16DN8TA资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

ZXMC4A16DN8TA参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A,3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 40V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMC4A16DN8TR